北京某半导体技术电子器件打造厂，晶圆工艺时候中存在含硅、氟的异常废液清理工艺，设计的清理投资规模1200吨/日。废液清理工艺成分表繁复，含nm级硅粒子及氢氧化钠，传统型清理方式 无法合格。 废渣成分表及渠道 具体污染破坏物 ：悬浊液硅（100-500nm比表面积）、氟铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 源道工序 ：晶圆刻蚀生活污水（45%）、CMP物理化学机抛光剂生活污水（40%）、设配消毒水（15%） 补救工艺设计的流程 不断创新选用"无机化学凝固+特别膜分开"技艺线路： 钙盐石雕文化沉淀 ：添加氯化钙清理氟化合物（出现CaF2积累） 二沉池不起作用 ：和好水解酸化池剂达成固体硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm钻孔大小膜挪作他用微细粉末 反融于系统 ：脱盐率>98%，收购 率75% 挥发结晶体 ：浓水段做到氟化物无废气排放标准 终极功效 氟化物浓硫酸浓度：<8mg/L（不超祖国考试内容一级规格10mg/L） 硅成分：<5mg/L 水市场循环率：70%代替闭式圆形逆流式冷却塔塔皮肤补水 危废处理才能减少：化掉沉渣量较传统型生产技术才能减少60%