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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED外加片生育的企业,因生育进程中在使用砷化镓、酸洗铟等III-V族无机化合物,废泥里含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,设汁正确处理占比1200吨/日。 污废水 化学成分及特征 MOCVD生产设备除污污废水 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等充分金属件单质 裁割磨细废水处理方法 :含微米级轻金属小粒 化学镀废液 :含铜、镍等金属件正离子 工作新工艺程序流程 创新发展主要包括"防氧化破络+高价属气体吸附+膜区分"组合起来技艺: 预正确处理单元测试卷 :加药系统氢氧化钙拆分有机肥料合金络合物 中心进行处理单无 : 在使用DTCR天价属气体吸附剂建立不无水磷酸氢螯合物 超滤膜整体(UF)挪用大碳原子水废水 反渗透装置性(RO)脱盐率>98% 污泥干化加工单元式 :离心式脱水过滤后全权负责危险废物处理学校处理 后面成果 经3方验测: 总砷分子量:0.05mg/L(行业标准0.5mg/L) 镉水分含量:0.01mg/L(新国标0.1mg/L) 水造纸废水处理率:75% 操作人工成本:3.8元/吨水

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